O Laboratório de Pesquisas Fotovoltaicas do Departamento de Física Aplicada do Instituto de Física Gleb Wataghin, da Universidade Estadual de Campinas, realizou um estudo com o objetivo de compreender e controlar melhor as propriedades eletrônicas e ópticas do nitreto de boro.
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O trabalho científico foi publicado na revista 2D Materials. Coordenada pelo professor Luiz Fernando Zagonel, a pesquisa teve como protagonista o estudante de doutorado Ricardo Javier Peña Román e é fruto de colaboração com grupos de pesquisa do Reino Unido e da França.
“Dito de forma bastante resumida, o que fizemos foi medir o bandgap eletrônico de uma monocamada de nitreto de boro hexagonal [h-BN]”, conta Zagonel à Agência FAPESP. A principal vantagem do nitreto de boro em termos de aplicação decorre do fato de ele possuir um bandgap eletrônico muito grande.
Como isolante elétrico resistente a altas temperaturas, o nitreto de boro é um material com muitas aplicações comerciais. E novas funcionalidades ainda podem ser exploradas, entre elas a produção de diodos emissores de luz (LEDs) ultravioleta de tipo C (UVC).
Esse tipo de luz é muito útil para esterilizar ambientes, superfícies ou mesmo a água, pois danifica o DNA de microrganismos, tornando-os inativos. Atualmente, lâmpadas fluorescentes são utilizadas como fontes de UVC, mas LEDs podem ter eficiência muito maior.
